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GaN基板

サイオクス株式会社
最終更新日: 2021年02月05日

当社は化合物半導体結晶分野におけるリーディングカンパニーです。GaN(窒化ガリウム)やGaAs(ヒ化ガリウム)を中心に化合物半導体事業を展開し、電子デバイスや光デバイス用途としてお客様が要求する高品質な基板、エピタキシャルウェハを提供しています

当社は40年以上の歴史を有する化合物半導体材料総合メーカーです。これまで長年培ってきたGaAsおよびGaNの結晶成長技術・加工技術・評価技術を生かし、お客様の求める高品質材料の提供を可能としています。

結晶成長技術として当社は、有機金属気相成長(MOVPE:Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)と水素化物気相成長(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)の2種類の技術を有しております。MOVPEはナノメートルオーダーの極めて薄い結晶を精密に組成制御できます。長年培った、装置管理技術、薄膜結晶成長ノウハウ、材料管理技術をフルに発揮し、お客様ご要望の、高周波、光出力に優れた特性を実現します。HVPEは不純物の混入を抑えて高速で気相エピタキシャル成長が可能な特長を生かし、厚い結晶が必要となるGaN自立基板の結晶製造、および、生産効率を向上させ安価にLED材料を提供できるGaNテンプレート製品製造に適用しております。

加工技術については、GaAs基板製造工程で培った技術をGaN基板製造に応用しており、表面加工精度に優れたウエハを生産しております。

評価技術については、X線評価、フォトルミネセンス(PL)、自動シート抵抗評価、表面異物自動評価等の手法で量産品の品質を評価するとともに、SEM、AFM、CL等の評価法を用い品質向上を目指しております。またエピタキシャルウエハのデバイス特性を予測するための簡易デバイス評価も実施しており、量産品の特性管理を実現し、エピ特性向上のための研究開発にも有効な手段となっています。

基本情報

1.用途
 ブルーレイディスクドライブやプロジェクタ用のレーザーダイオード
 照明用の高出力LED
 特徴
2.エハ面内均一性が良い低転位密度分布(1~4E6 /cm2)

3.将来用途
 3,000Vを超える高い破壊電圧と1mΩ・cm2と低いオン抵抗を持つGaN PN接合ダイオード

4.製品
 2インチn型導電性GaN基板
 4インチn型導電性GaN基板(開発中)
 2インチ半絶縁性GaN基板(開発中)

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取扱企業

サイオクス株式会社

業種:鉄/非鉄金属  所在地:茨城県 日立市砂沢町 880

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