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GaNエピタキシャルウエハ

サイオクス株式会社
最終更新日: 2021年02月05日

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技術概要
当社は40年以上の歴史を有する化合物半導体材料総合メーカーです。これまで長年培ってきたGaAsおよびGaNの結晶成長技術・加工技術・評価技術を生かし、お客様の求める高品質材料の提供を可能としています。

結晶成長技術として当社は、有機金属気相成長(MOVPE:Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)と水素化物気相成長(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)の2種類の技術を有しております。MOVPEはナノメートルオーダーの極めて薄い結晶を精密に組成制御できます。長年培った、装置管理技術、薄膜結晶成長ノウハウ、材料管理技術をフルに発揮し、お客様ご要望の、高周波、光出力に優れた特性を実現します。HVPEは不純物の混入を抑えて高速で気相エピタキシャル成長が可能な特長を生かし、厚い結晶が必要となるGaN自立基板の結晶製造、および、生産効率を向上させ安価にLED材料を提供できるGaNテンプレート製品製造に適用しております。

加工技術については、GaAs基板製造工程で培った技術をGaN基板製造に応用しており、表面加工精度に優れたウエハを生産しております。

評価技術については、X線評価、フォトルミネセンス(PL)、自動シート抵抗評価、表面異物自動評価等の手法で量産品の品質を評価するとともに、SEM、AFM、CL等の評価法を用い品質向上を目指しております。またエピタキシャルウエハのデバイス特性を予測するための簡易デバイス評価も実施しており、量産品の特性管理を実現し、エピ特性向上のための研究開発にも有効な手段となっています。

基本情報

1.高周波用途
用途
無線通信インフラ、航空電子機器、衛星通信、レーダー、CATV送信機
高周波加熱、無線
高出力/高効率が要求される高周波パワーアンプ
特徴
エピ核形成とバッファ層構造の最適化により髙効率、高耐圧、高周波過渡応答/分散制御を実現
歩留まり、製造バッチ間の再現性、ウエハ面内均一性に優れる
無線インフラやセキュリティの分野において採用実績あり
製品
半絶縁性SiC基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウエハ
半絶縁性GaN基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウエハ


2.電力変換用途
用途
パワースイッチングダイオード、パワートランジスタ、電気自動車、太陽電池、データサーバー、家電製品、人工光合成、センサ
特徴
自社製高品質GaN基板を使用することによる低転位密度、低点欠陥密度
厚いドリフト層中の浅いドーピングレベルを制御することによる低いオン抵抗と高いブレイクダウン電圧(3.0kV超)の実現
製品
導電性GaN自立基板上のP/Nホモ接合GaNエピタキシャルウエハ
導電性GaN自立基板上のショットキーダイオード用N型ホモGaNエピタキシャルウエハ
半絶縁性SiC基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウエハ

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取扱企業

サイオクス株式会社

業種:鉄/非鉄金属  所在地:茨城県 日立市砂沢町 880

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