半導体用語集
サセプタ
英語表記：susceptor
エピタキシャル成長装置の反応炉内にあるウェハを保持する台をサセプタという。高周波誘導加熱方式、抵抗加熱方式の反応炉においては、発熱体としても重要である。サセプタ形状はウェハ熱分布を通して、スリップ、膜厚分布などへ影響する。特に、スリップ 「発生防止にはサセプタ形状の工夫が重要になる。たとえば、高周波誘導加熱方式ではサセプタ上にウェハを収納する“ザグリ”という窪みを設けることで、高温状態でウェハが湾曲しても、ウェハ外周がサセプタから離れることを防止している。それにより、ウェハ面内熱分布が均一になり、スリップが 抑制される。
サセプタに要求される材料特性は、高温状態で直接ウェハとサセプタが接触するため、高純度であること、熱伝導性がよいこと、形状加工が容易なこと、および高周波誘導加熱が可能なこと、などがあげられる。カーボンは高周波誘導加熱が可能、熱伝導性良好、形状加工が容易などの特性はほぼ満足している。ただし、カーボンは多孔質のため汚染源となるガスを吸蔵しやすいなどの欠点があり、純度面ではまだ 不十分である。通常は表面にCVD法 により厚さ100μm 程度のSiCをコー トしたサセプタが使用されている。 CVD-SiCは純度が高い、高温での化学的安定性に優れる,および金属の拡散係数が小さいためカーボン中の金属もブロックできる、などCVD-SiCコ ートカーボンはサセプタの素材として ほぼ満足すべきものであり、標準的に 使われている。近年、カーボンの欠点 である気孔が少ないグラシーカーボン (GC)がサセプタ材質として検討されている。現状では金属不純物純度など点でSiC コート品より劣っており、実用化への課題となっている。
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