商品紹介
本セミナーでは、CMP技術の基礎から装置構成、エンドポイント制御、洗浄工程における最新動向に加え、微小残渣の定量評価手法や薬液開発の実例、さらに分子動力学シミュレーションを活用した研磨メカニズムの解明まで、CMPプロセスの最新技術を幅広くご紹介いたします。
開催日時
2025年6月6日（金）13:00〜17:00
開催場所
【会場】連合会館（新御茶ノ水駅 より徒歩0分）
【オンライン】zoom
定員
会場 ：30名
オンライン：200名
受講料
個人参加（会場/オンライン）：30,800円（税込み）
5名までのグループ参加（オンラインのみ）：63,800円（税込み）
商品詳細
詳細はこちら
https://global-net.co.jp/archives/10930
時間
セミナー内容（一部変更する場合がございます）
13:05〜14:15
「半導体製造の化学機械研磨（CMP）技術の概要とCMP後洗浄の特徴」
講師：今井 正芳 氏 (株式会社荏原製作所)
1. はじめに・・・2030年に向けたSEMI・CMP市場
2. 半導体製造におけるCMP工程の概説
2-1 CMP(Chemical Mechanical Polishing/Planarization)とは
2-2 CMPポリッシャ部の基本構成
(1) 原理
(2) 研磨ヘッドの種類と歴史
(3) エンドポイントセンサの種類、機能、用途、特徴
(4) 装置構成（研磨部、洗浄部、搬送部）
3. 半導体業界の洗浄工程について
3-1 工程数（Logic, NAND, DRAM)
4. 一般洗浄とCMP後の洗浄
5. Cu洗浄と腐食
6. 今後のCMP後洗浄
14:15〜15:15
「微細化する最先端デバイス向けCMP後洗浄液の開発」
講師：上村 哲也 氏（富士フイルム株式会社）
最先端デバイスでは微細化が進み、最細配線幅は15nm以下になった。配線幅のおよそ6割の大きさの残渣はデバイス上でキラー欠陥になると言われている。言い換えれば、最先端デバイスでは10nm以下の欠陥を管理する必要がある。また、更なる微細化に伴い管理すべき残渣のサイズは今後益々小さくなることが予測されている。この様な超微小残渣は通常の光学式欠陥装置では検出不可の領域にある。
当社は薬液開発の際に、これら超微小残渣を定量的評価できる手法を新たに開発した。
本講演では、当社標準W-pCMPを例にとり、標準品におけるこれら微小残渣の評価方法の概略、及びそれを用いた改良薬液の例を示す。
15:15〜15:30
休憩
15:30〜16:40
「シミュレーションが明らかにするセリアによるSiO2研磨メカニズム」
講師：野村 理行 氏（株式会社レゾナック）
第一原理分子動力学による研磨の素過程
ニューラルネットワークポテンシャル(NNP)を用いた研磨シミュレーション
NNPを用いたシミュレーションの応用
【講師紹介】
第一部：今井 正芳 氏 (株式会社荏原製作所)
1985年に大日本スクリーン製造㈱（現㈱SCREENホールディングス）入社。当初は半導体ウェーハ拡散炉の基礎開発に従事、1989年より、半導体洗浄装置・プロセス開発に取り組む。1994年に米国出向、セールスと技術サポートを経て、帰国後しばらくして半導体洗浄装置関連のマーケット戦略と製品企画に異動。2006年にコンソーシアムSleteに出向（バックエンド洗浄の開発）し、2008年に戻り、マーケティング部にて洗浄装置関連のマーケット戦略とプロセス開発にも参画。
2010年に株式会社荏原製作所へ入社。主に、CMP後の洗浄プロセス・装置開発に従事。2022年より、同社、マーケティング部門に異動して現在に至る。
第二部：上村 哲也 氏（富士フイルム株式会社）
2004年に富士フイルム株式会社に入社、半導体材料開発研究所に配属。以降、買収に伴いグループ会社になった旧プラナーソリュージョン、和光純薬の駐在を経て現在に至る。CMP/pCMP関連の業務は上記駐在を含め20年以上にわたり従事しており、CMPとpCMPの両商材の開発経験を有している。
保有特許は100件以上、関連分野の執筆論文は5件にのぼる。
第三部：野村 理行 氏（株式会社レゾナック）
1998年3月大阪大学工学研究科博士後期課程修了(工学博士)
1998年4月日立化成株式会社に入社
研究所所属で異方導電性フィルム(接着剤)、有機EL(発光材)、有機トランジスタ、調光フィルムの研究開発に従事した後、
2015年から研磨材料開発部に異動しCMPスラリの開発に従事。
2025年1月から先端融合研究所に異動し、引き続きCMPスラリの研究開発に従事中。
