商品紹介
開催日時
2025年9月26日（金）13:00〜17:00
開催場所
【会場】連合会館（新御茶ノ水駅より徒歩0分）
【オンライン】zoom
定員
会場 ：30名
オンライン：200名
受講料
個人参加（会場/オンライン）：30,800円（税込み）
5名までのグループ参加（オンラインのみ）：63,800円（税込み）
商品詳細
セミナー内容（一部変更する場合がございます）
13:05〜14:15
「パワー半導体の基礎的事項及びその最新技術動向」
講師：寺島 知秀 氏 （九州大学 システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 教授）
モビリティ･インフラの電化・電動化
パワー半導体（パワーデバイス）–電化・電動化のキーデバイス–
パワーデバイスの種類
現在の主力パワーデバイス
WBG系パワーデバイス
性能比較
パワーデバイスの製品形態と市場
パワーデバイス業界最新動向
パワー半導体（パワーデバイス）とはどのようなもので、その現在の状況と将来トレンドまでを包括的に理解できる事を主眼とし、パワーデバイスに必要とされる機能とそれに対応した基本的動作、歴史的発展の経緯、現在主力のパワーデバイスと次世代として開発が加速されているパワーデバイスについての構造･特性･特徴、これらパワーデバイスが使われている電子機器市場、そしてこの市場の発展に伴って大きく変化しているパワーデバイス業界の状況を順に説明します。
14:15〜15:25
「SiCスーパージャンクションMOSFETの進展」
講師：原田 信介 氏
（国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 副研究センター長）
SiCパワーデバイス・スーパージャンクションの利点
SiCスーパージャンクションMOSFETの製法
SiCスーパージャンクションMOSFETの開発事例
15:25〜15:40
休憩
15:40〜16:50
「パワー半導体の市場動向と今後の展望について」
講師：鈴木 寿哉 氏
（OMDIA インフォーマインテリジェンス合同会社 プリンシパルコンサルタント）
世界の半導体市場動向
パワー半導体が期待される市場と成長見込み
デカップリングの進む市場環境下での今後の展望
【講師紹介】
第一部：寺島 知秀 氏 （九州大学 システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 教授）
1987年大阪大学基礎工学部物性物理工学科卒業。2017年に同大学にて応用物理で博士(工学)を取得。1987年に三菱電機に入社後2012年までパワーMOSFET、高耐圧ICプロセス、BiCMOS&DMOSプロセス、IGBT、パワーDiode開発に従事。
BiCMOS&DMOSプロセスと高耐圧ICではそれぞれ三菱電機としての第一世代の製品化を担当し、高耐圧ICでは現在世界的に広く使われている耐圧保持構造を発案。2013年から2015年まで先端技術総合研究所にてSiCデバイスと次世代パッケージの研究管理業務に携わった後、パワーデバイス製作所にてパワーデバイスと高耐圧ICの技術開発に関する統括業務を担当。2024年から九州大学大学院システム情報科学研究院 教授。
パワーデバイスとICプロセス・デバイス領域で84件の米国特許と61件の日本特許を取得。IEEE-ESD会員、電気学会上級会員。
第二部：原田 信介 氏
（国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 副研究センター長）
2000年3月九州大学工学研究科博士後期課程修了（工学博士）
2004年4月産業技術総合研究所に入所
シリコンカーバイドパワーデバイス、特にプレーナーゲートMOSFET、トレンチゲートMOSFET、SBD内蔵MOSFET、スーパージャンクションMOSFETの開発に従事。
2024年4月から先進パワーエレクトロニクス研究センター 副センター長
第三部：鈴木 寿哉 氏（インフォーマインテリジェンス合同会社 OMDIA プリンシパルコンサルタント）
富士通株式会社電子デバイス部門にて、金属薄膜の化学気相成長技術開発に従事し、ファウンドリ事業の顧客開拓、マーケティングを経てSocionextにてカスタムSoC事業をアメリカでリードした後、中国での事業を統括した。35年以上の半導体企業での経験を活かし、Omdiaでは、パワー半導体、SoC、半導体サプライチェーン、車載半導体、中国半導体市場の調査実績があり地政学リスクを踏まえたサプライチェーン変化などセミナー講師を務める。
