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シリコンカーバイドパワー半導体市場規模は、2035年までに135億米ドルに達すると予測されています

2025/09/07 KD Market Insights Private Limited

KDマーケットインサイトは、市場調査レポート『シリコンカーバイドパワー半導体市場の将来動向と機会分析 ― 2025年から2035年』を発表いたしました。本レポートの調査範囲は、現在の市場動向および将来の成長機会に関する情報を網羅しており、読者が十分な情報に基づいたビジネス判断を行えるよう支援します。

シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体市場規模、シェア、成長、セグメンテーション、最新動向

市場規模と予測

世界のSiCパワー半導体市場は、2025年から2035年にかけてCAGR XX%で拡大し、2035年までにXX億米ドルに達すると予測されています。

この成長は、電気自動車(EV)、産業用途、再生可能エネルギーシステムにおけるエネルギー効率の高い高性能パワーデバイスの需要増加によって促進されています。

市場シェアの見通し

アジア太平洋:中国、日本、韓国でのEV普及、産業オートメーション、強力な半導体製造基盤により市場を主導。

北米:EVインフラ、航空宇宙、スマートグリッドの取り組みにより大きなシェアを保持。

欧州:再生可能エネルギーや産業用パワーエレクトロニクスでの導入拡大に伴い着実に成長。

成長要因

高電圧・高温・低損失パワー半導体のニーズ拡大。

電気自動車生産および充電インフラの拡大。

太陽光インバーター、風力タービン、産業用ドライブへの統合拡大。

高速スイッチング、高効率、コンパクト設計などのSiCデバイスの利点。

エネルギー効率や脱炭素化を支援する政府の施策。

市場セグメンテーション

デバイスタイプ別:SiC MOSFET、SiCショットキーダイオード、SiC JFET、SiCモジュール。

用途別:自動車、産業、エネルギー&電力、民生用電子機器、航空宇宙&防衛。

地域別:北米、欧州、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東&アフリカ。

最新動向

EVインバーターや急速充電ステーション向け次世代SiC MOSFETの発売。

SiCウェーハメーカーと自動車OEMとの協業による生産拡大。

再生可能エネルギーおよび産業用途向けの高電圧・小型SiCモジュールの進展。

SiCパワーデバイスのコスト削減と信頼性向上への取り組み。

スマートグリッドや高性能産業システムへのSiC技術の統合。

将来展望

EV普及、再生可能エネルギー拡大、エネルギー効率に優れた産業ソリューションの進展に伴い、SiCパワー半導体需要は加速し、市場は力強い成長が見込まれています。

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