注目される半導体前工程技術
1.微細化の為、形を変えるFET
ロジックチップの構造は、集積化のために年々微細化が進んでいる。従来は長らくプレナー型電解効果トランジスタ（Field Effect Transistor、以下 FET）が使用されてきたが、年々ゲート長の微細化が難しくなってきており、立体的なゲート（電極の役割を果たす。電圧を感知してソースとドレインの電流を制御する）構造を採用することが必要となり、ソースとドレインをプレナー型から90度回転させ、ソースとドレインを取り囲むFinFETが採用された。チャネル長が短くなることによって、ショートチャネル効果（ゲート長が短くなると、ゲート電圧が0Vの場合でもソース-ドレイン間で電流が流れやすくなること）が発生する。プレナー型がチャネルとゲートが触れる面が1面なのに対して、FinFETでは、チャネルと3面触れるFin型の形状とすることで、リーク電流を性能を落とさずに改善することが可能となる。2021年現在もFinFETが主流となっているが、今後数年で移行すると見られる2nm以下のプロセスノードでは、FinFETを利用しない形での微細化が検討されており、今回はFinFETの先のトランジスタ形状を特集していく。
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