アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
業種:電子部品・半導体 所在地:東京都 江東区青海 2-7-4 the SOHO0603
【パワーMOSFET・MEMS技術基盤ウエハーのメーカー】
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI(シリコンオンインシュレーター)、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R&D拠点)
革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。
ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。
企業名 | アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社 |
---|---|
事業所 | |
郵便番号 | 1350064 |
住所 | 東京都 江東区青海2-7-4 the SOHO0603 |
地図 | |
電話番号 | 09086147889 |
FAX番号 | 0355796707 |
業種 | 電子部品・半導体 |
事業内容 | 事業内容 【取扱品目】 ■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス SOI SiSi MEMS DSOI DSP CSOI Thin SOI TSOI TSV=Through-Silicon Vias ■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V) 特長: 低オン抵抗 超低ゲート電荷量 耐高dv/dt特性 高耐アバランシェ特性 耐高ピーク電流特性 増相互コンダクタンス特性 |
事業拠点 | |
設立年 | 2004 年 |
資本金 | 250,000万円 |
従業員数 | 1~99人 |
売上高 | |
画像 |
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