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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET
2023年1月より量産リリース！ GEN2 スーパージャンクションMOSFET
アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！
GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズのリリースです。
シリコンリミットの特性限界を超えた、スーパージャンクション構造。
新素材のパワー半導体が世に出てきている中、弊社は既存素材のシリコンでもPNピッチを下げることで、まだまだ”特性を進化させることができる‼”ことにこだわりを持って、GEN2を開発してきました。
弊社の得意とする深いトレンチ構造に、できるだけゲートチャージQg
を小さくする工夫をしたことで、省エネ効果の高いデバイス実現しました。
事実、他社製品と電源モジュールにおける消費電力の評価ではGEN2の製品ではAC90VでΔ-0.5W, AC100~264VにおいてΔ-0.1Wと目に見える差を確認することができ、消費電力を抑えることを確認できました。
基本情報
【特長】
■TO220Full Pakパッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
| 納期 | 即日 |
|---|
カタログ
取扱企業
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
業種：電子部品・半導体 所在地：東京都 江東区青海 2-7-4 the SOHO0603
【パワーMOSFET・MEMS技術基盤ウエハーのメーカー】
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R＆D拠点）
革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。
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ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET
