グローバルネット株式会社の製品一覧

拡張伝送線モデル(TLM)法を⽤いた熱電半導体の接触抵抗の精密測定
グローバルネット株式会社

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京都工芸繊維大、桂 章皓

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GaN 自立基板上に作製したmist-Al2O3/n-GaN 構造の評価
グローバルネット株式会社

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熊本大、谷田部 然治

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新電解技術による層間絶縁膜上へのRu 結晶核の形成
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KMP研究所 岩津春夫

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300~600 ℃の低温処理用ミニマルレーザ加熱装置の開発(Ⅲ)
グローバルネット株式会社

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ミニマルファブ推進機構、佐藤 和重

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Improved quality and interface of Al2O3 towards quiet Ge-based spin qubit environment
グローバルネット株式会社

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東工大、Chutian Wen

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MEMS デバイス適用へ向けた極厚膜低ストレスLPCVD Poly-Si 膜の膜厚方向の電気抵抗評価
グローバルネット株式会社

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国際電気株式会社、莆田燕

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通電劣化を抑制したダブルインプラSiC スーパージャンクションUMOSFET
グローバルネット株式会社

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産総研、竹中 研介

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[第15回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] Si0.1Ge0.9における室温スピン伝導の歪み効果
グローバルネット株式会社

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阪大、内藤 貴大

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高濃度Al ドープ4H-SiC におけるキャリア再結合
グローバルネット株式会社

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名工大、加藤 正史

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シャントインダクタを含む整合回路を用いた量子ドットのRF 反射測定
グローバルネット株式会社

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東工大、溝口 来成

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