東京都の製品一覧

シリコン薄膜スーパージャンクション構造を用いた横型パワーMOSFET
グローバルネット株式会社

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東大生研、李 珍秀

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プラズマ活性化による表面改質とウエハ接合時の挙動解析
グローバルネット株式会社

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横浜国大、尾形 崚太

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UV/Dry Air 処理による半導体基板上フッ素系ポリマー膜の除去
グローバルネット株式会社

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熊大院自、小石 航平

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SADP 互換EB-R プロセスによるゲートパターン作製
グローバルネット株式会社

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AIST SFRC、尹 成圓

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ハイブリッド接合への応用に向けたSiCN 膜の接合メカニズム解明
グローバルネット株式会社

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横浜国大、山本 泰輔

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顕微ラマン分光法によるTSV 周辺Si 歪の横方向分布評価
グローバルネット株式会社

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明治大理工、藤森 涼太

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高発光強度FLA を用いたMo の低抵抗化 【この成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」(JPNP20017)の助成事業の結果得られたものである】
グローバルネット株式会社

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株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、吉田侃生

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MOSFET雑?の広帯域計測とその温度依存性に関する考察
グローバルネット株式会社

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(株)デバイスラボ、??利 健治

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Gate-all-around FET 用TiAlC/TiN 電極の実効仕事関数へのF 混入の影響
グローバルネット株式会社

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産総研 先端半導体研究センター、間部 謙三

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無電解めっきによるCoMn 拡散バリア膜形成の検討
グローバルネット株式会社

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関西大システム理工、新宮原 正三

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