カテゴリー
- 真空バルブ（ゲートバルブ、ベンドロールバルブ）
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- テフロン（半導体グレード）
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- RF電源／その他電源
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- ターボ分子ポンプ
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- 静電チャック
- 熱電対／パイロメータ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
- ヒータ（蒸着装置向け）
- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
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- キャピラリ／ディスペンサ
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- SUS（半導体グレード）
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- KrFレジスト／現像液
- ArFレジスト／現像液
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- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
- 超純水・機能水
- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
- ガラス基板（OLED用）
- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
- 液晶注入口封止材（紫外線硬化樹脂材料）
- 偏光フィルム
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- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
- 正孔輸送層材（有機膜）
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 高分子有機EL材料
- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
Gate-all-around FET 用TiAlC/TiN 電極の実効仕事関数へのF 混入の影響
産総研 先端半導体研究センター、間部 謙三
GAA
WFM
基本情報
本研究では、Gate-all-around型トランジスタのしきい値（Vth）制御に使用される仕事関数調整用メタル（WFM）へのフッ素（F）拡散の影響を調査。W/TiN/TiAlCゲートスタックを持つSOIFETを作製し、VthのLg依存性を評価した結果、Lg=88 nmではTiAlCのEWF低減が抑制され、約50at%のF拡散が原因と判明。一方、Lg=28 nmではW埋込スペースの減少によりF拡散が抑制され、EWF低減が大きくなった。講演ではFのEWFへの影響機構について議論を行う予定である。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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