カテゴリー

CuI を原料とする選択CVD 法によるShallow-trench 上へのCu 成長

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

茨城大院、宮本 裕

Cu選択成長
Shallow-trench埋込

基本情報

 本研究では、ヨウ化銅(CuI)を真空中で加熱・昇華させ、金属上に選択的にCu層を形成する技術を調査した。特に、Taを下地とするSiO? Shallow-trench上でのCu成長形態を評価。実験では、異なる基板温度でCuを成長させ、SEMとXRDを用いてその形態と配向性を分析。結果、低温では線状のCuが、400℃では粒状のCuが形成され、低温成長が選択的なCuラインの形成に有効であることが示された。また、高アスペクト比のCuライン形成にはCu(111)の優先配向が重要であることが確認された。

お問い合わせ

取扱企業

グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F

必要な情報をタイムリーに届けたい

グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

CuI を原料とする選択CVD 法によるShallow-trench 上へのCu 成長 へのお問い合わせ

お問い合わせいただくにはログインいただき、プロフィール情報を入力していただく必要があります。


ご依頼目的 必須

ご要望 必須

お問い合わせ ご意見等


※お問い合わせの際、以下の出展者へご連絡先(所属名、部署名、業種、名前、電話番号、郵便番号、住所、メールアドレス)が通知されます。

CuI を原料とする選択CVD 法によるShallow-trench 上へのCu 成長