グローバルネット株式会社の製品一覧

GeSiSn/GeSn 二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析
グローバルネット株式会社

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名大、柴山 茂久

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HVPE 基板およびOVPE 基板上GaN エピ層の特性評価
グローバルネット株式会社

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名工大、古橋 優

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小電力応用に優れた針接触Ge ショットキーバリアダイオードのデバイス特性
グローバルネット株式会社

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東京工科大、安藤 陸

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Ni 超薄膜へのSiH4 照射によるシリサイド化反応制御
グローバルネット株式会社

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名大、谷田 駿

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高濃度n 型GaN スパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性
グローバルネット株式会社

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名大、田中 希帆

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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
グローバルネット株式会社

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山口大、藤井 開

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極性反転層を用いた高品質N極性面AlN 上GaN/AlN HEMT の性能改善
グローバルネット株式会社

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山口大、Aina Hiyama Zazuli

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AlN 系分極ドープFET の構造検討
グローバルネット株式会社

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NTT、廣木 正伸

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Si/Ge/SiO2 の低温成長とその構造及び電気特性評価
グローバルネット株式会社

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山梨大、近藤 弘人

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水蒸気低温プラズマジェット照射によるポリシラザンのシリカ転化メカニズム
グローバルネット株式会社

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広島商船高専、酒池 耕平

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