グローバルネット株式会社の製品一覧

Gate-all-around FET 用TiAlC/TiN 電極の実効仕事関数へのF 混入の影響
グローバルネット株式会社

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産総研 先端半導体研究センター、間部 謙三

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ハイブリッド接合への応用に向けたSiCN 膜の接合メカニズム解明
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横浜国大、山本 泰輔

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顕微ラマン分光法によるTSV 周辺Si 歪の横方向分布評価
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明治大理工、藤森 涼太

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UV/Dry Air 処理による半導体基板上フッ素系ポリマー膜の除去
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熊大院自、小石 航平

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MOSFET雑?の広帯域計測とその温度依存性に関する考察
グローバルネット株式会社

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(株)デバイスラボ、??利 健治

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超伝導量子ビット制御用クライオCMOS における高電圧nMOSFET の低温特性
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慶大理工、押尾 世文

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CuI を原料とする選択CVD 法によるShallow-trench 上へのCu 成長
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茨城大院、宮本 裕

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CF4/H2プラズマによるエピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3積層膜からのSi ナノシートの形成
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名大院工、尾崎 孝太朗

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SADP 互換EB-R プロセスによるゲートパターン作製
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AIST SFRC、尹 成圓

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無電解めっきによるCoMn 拡散バリア膜形成の検討
グローバルネット株式会社

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関西大システム理工、新宮原 正三

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