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無電解めっきによるCoMn 拡散バリア膜形成の検討

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

関西大システム理工、新宮原 正三

3D
TSV
バリアメタル

基本情報

 3D-LSIの三次元実装技術において、TSV(シリコン貫通電極)の内部配線材料としてCuが使用されるが、CuのSiO2中への拡散を防ぐためにバリアメタルが必要となる。本研究では、無電解めっきによるバリアメタル形成を検討し、従来のCoWB膜(DMAB還元剤)では350℃でCu拡散が発生する問題を確認。今回、ヒドラジン水和物を還元剤としたCoMn膜を形成し、その抵抗率とCu拡散抑制効果を評価した。結果、CoMn膜は低抵抗であり、熱処理時に形成される酸化膜がCu拡散を抑制することが明らかとなった。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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