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ハイブリッド接合への応用に向けたSiCN 膜の接合メカニズム解明

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

横浜国大、山本 泰輔

3D集積
SiCN
ウェハ接合

基本情報

 本研究では、先端3D集積構造実現のためにSiCNを用いたウエハ接合の可能性を検討。従来のSiO?絶縁膜はボイド形成の課題があったが、SiCNは高接合強度を実現する新規材料として期待される。実験では、SiCNを堆積・平坦化後、N?またはO?プラズマを照射し、接合界面の化学結合状態を解析。結果、N?プラズマは炭素ダングリングボンドを形成し、SiCO層の生成に寄与。さらに、PBAにより炭素が減少し酸素が増加し、接合界面の安定性向上が確認された。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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