転位の製品一覧
貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
グローバルネット株式会社
名大、伊藤 佑太
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MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム
グローバルネット株式会社
名大、狩野 絵美
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