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- 接着剤 接着テープ
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- マスク基板
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム
名大、狩野 絵美
GaN
基本情報
本研究ではGaNのp型ドーピングにおけるMgイオン注入後のNイオン連続注入がMg分布に与える影響を、TEMとAPTで調査した。Nイオン注入によるMgの拡散抑制効果は以前から示唆されていたが、そのメカニズムは明らかではなかった。本研究では高濃度Mgイオン注入後のGaN結晶にNイオンを同濃度で注入し、1300℃で30分間アニールした。その結果Nイオン注入によりMgの高濃度が保たれ、ナノスケールの転位ループが形成され、その縁にMgが凝集することが観察された。これによりMgの濃度低下が抑制されることが示され、Mg拡散抑制のメカニズムが明らかになった。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム
