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- 接着剤 接着テープ
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貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
名大、伊藤 佑太
GaNデバイス
基本情報
本研究はMgイオン注入によるGaNのp型伝導性制御とその逆方向リーク電流問題に焦点を当てており、逆方向リーク電流の原因が不明である中、貫通転位がリーク電流源となる可能性が示唆されている。転位密度が異なるGaN基板を用いた実験では、リークスポット数が貫通転位密度に比例していることが確認され、高温アニールによって新たなリーク源が生じることが示された。この結果から、イオン注入と高温アニールプロセスを用いる際には、逆方向リークを抑制するために貫通転位密度を低減することが重要であると結論付けられる。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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