自治体・省庁・研究機関・団体の製品一覧
ハイブリッド・ボンディングを適用した3 次元フラッシュメモリにおける貼り合わせ界面空隙の内圧低減技術開発
株式会社グローバルネット
キオクシア株式会社、大形 彩斗
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ハイブリッド接合への応用に向けたSiCN 膜の接合メカニズム解明
株式会社グローバルネット
横浜国大、山本 泰輔
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無電解めっきによるCoMn 拡散バリア膜形成の検討
株式会社グローバルネット
関西大システム理工、新宮原 正三
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顕微ラマン分光法によるTSV 周辺Si 歪の横方向分布評価
株式会社グローバルネット
明治大理工、藤森 涼太
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次世代配線材料としてのRu 薄膜の特性評価と密着性改善
株式会社グローバルネット
慶大理工、林 凌佑
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CuI を原料とする選択CVD 法によるShallow-trench 上へのCu 成長
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茨城大院、宮本 裕
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SADP 互換EB-R プロセスによるゲートパターン作製
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AIST SFRC、尹 成圓
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フラッシュランプアニールによるエピタキシャルSi:P 層の再活性化
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株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、植野 雄守
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Gate-all-around FET 用TiAlC/TiN 電極の実効仕事関数へのF 混入の影響
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産総研 先端半導体研究センター、間部 謙三
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高発光強度FLA を用いたMo の低抵抗化
【この成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」（JPNP20017）の助成事業の結果得られたものである】
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株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、吉田侃生
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