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- 接着剤 接着テープ
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- はんだボール
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- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
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- マスク基板
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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n-GaN のICP-RIE 加工面に対する低損傷PEC エッチングとその電気化学的評価
北大量集センター、嶋﨑 喬大
ICP-RIE
光電気化学エッチング
1/C?-V特性
基本情報
電気化学容量―電圧（EC-V）測定法や電気化学インピーダンス（EIS）測定法は、半導体表面に電極を形成せずに電気的特性を評価できる。本研究では、ICP-RIE加工を施したn型GaN層の加工損傷回復を光電気化学（PEC）エッチングにより検討し、電気化学測定で定量評価した。結果、PECエッチング後は1/C?-V特性が順バイアス側へシフトし、リーク抵抗が増大。これにより、低損傷PECエッチングが電流リーク源の除去に有効であることが示された。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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