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- エッチングガス
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- 接着剤 接着テープ
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- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
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- マスク基板
- マスクブランクス
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- フォトレジスト、現像液
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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SiC MOSFET におけるAC-BTI の窒化時間依存性
筑波大学、子安 葵
SiC
パワーMOSFET
Bias-Temperature Instability
基本情報
SiC MOSFETのSiC/SiO?界面には多くの界面準位や酸化膜欠陥が存在し、キャリアの捕獲によるしきい値電圧変動(ΔVth)が発生する。本研究では、窒化処理時間を変えたnチャネルおよびpチャネルSiC MOSFETを用い、AC-BTI(Bias-Temperature Instability)を評価。結果、窒化時間が長いほどΔVthは減少するが、過剰な窒化では酸化膜欠陥の影響でΔVthが増加。AC-BTIの要因として界面準位を介したキャリア再結合が関係し、Ditのエネルギー分布解析が重要と考えられる。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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