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高発光強度FLA を用いたMo の低抵抗化 【この成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」（JPNP20017）の助成事業の結果得られたものである】

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、吉田侃生

Mo
Flash Lamp Annealing

基本情報

　配線幅の微細化に伴い、抵抗値の上昇が問題となる中、BarrierやLinerを必要としないMoが注目されている。しかし、低抵抗化には高温処理が必要で、配線工程の熱履歴制限が課題となる。そこで、本研究では高発光強度FLA（Flash Lamp Annealing）を開発し、Moの低抵抗化を検証。比較実験の結果、FLA処理により裏面温度を400℃以下に抑えつつ、Rsを16%低減できることを確認した。この技術は、厳しい熱履歴制限下でもMoを適用可能にする有望な手法と考えられる。

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グローバルネット株式会社

業種：産業用電気機器  所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

高発光強度FLA を用いたMo の低抵抗化 【この成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」（JPNP20017）の助成事業の結果得られたものである】 へのお問い合わせ

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