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- 接着剤 接着テープ
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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CF4/H2プラズマによるエピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3積層膜からのSi ナノシートの形成
名大院工、尾崎 孝太朗
GAA
ナノシート
基本情報
GAA-FETsのSiナノシート形成には、SiGe層の選択エッチングが重要であり、本研究ではCF4/H2プラズマを用いた真空一貫ドライエッチングを実施した。Si0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3積層膜を用い、H2希釈率を制御しながらプラズマを照射。結果、H2希釈率10%ではエッチングレートが低下する一方、5%ではSiGe層の選択エッチングが明瞭に進行した。Siナノシートの形成後、表面のRMSラフネスは~0.41nmと比較的平坦であった。これらの結果より、CF4/H2プラズマを用いたドライエッチングがSiナノシート形成に有効であることが示された。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
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