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- 接着剤 接着テープ
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量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMT の特性予測
東理大先進工、児玉 直也
GaInSb
モンテカルロシミュレーション
基本情報
本研究では、高電子移動度と高電子濃度を両立させたGaInSb HEMTをさらに高速化するため、電子有効質量の小さいInAsSbをチャネルに用いたデバイスを解析した。量子補正モンテカルロ(QC-MC)シミュレーションを用いてInAsSb HEMTの性能を評価し、InGaSb HEMTと比較。結果、InAsSb HEMTは高い電子速度と短い遅延時間を示し、真性遮断周波数fTが1.93 THzに達することが確認された。これはInGaSb HEMTの1.04 THzを大幅に上回り、極低電圧THzトランジスタとして有望であることを示している。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMT の特性予測
