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- エッチングガス
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- 接着剤 接着テープ
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- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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ヨウ化銅（I）を原料とするCVD 法によるビアホールの選択埋め込み
茨城大工、難波 拓?
Cu埋込
選択成長
ビアホール
基本情報
本研究では、低圧環境下でヨウ化銅（CuI）を加熱・昇華させることで、400℃以下で金属上に選択的にCuを成長させる手法を応用し、Ru(0001)層を下地とするSiO2ビアホールへのCuの選択的埋め込みを試みた。実験では、UV光照射とIPA処理の有無によるCu成長の影響を評価。結果、UV光照射とIPA処理後の堆積でRu表面でのCu成長が促進され、ビアホール底部に単一なCu粒子が形成された。さらに、長時間堆積によりボトムアップでビアホールが埋め込まれることを確認し、XRD測定によりCu(111)の主配向が得られた。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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ヨウ化銅（I）を原料とするCVD 法によるビアホールの選択埋め込み
