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GaN npn 構造の電流-電圧特性の解析

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

名大未来研、岡 徹

縦型GaNパワーデバイス
TCADシミュレーション
npn構造

基本情報

 縦型GaN MOSFETのしきい値電圧が予測より低い原因として、高濃度n+層の影響によるMgの活性化不足が考えられる。本研究では、npn層構造の電流-電圧特性を解析し、アクセプタ濃度を推定した。実験とTCADシミュレーションの結果、Mg濃度とアクセプタ濃度の関係が明らかとなり、脱水素アニールの有無で異なる挙動を示した。特に、高Mg濃度でもアクセプタ濃度が約2×10??cm??なら しきい値電圧はもっと高くなるはずで、今回の結果は しきい値電圧が低い要因がアクセプタ濃度が低いことに起因するものではないことを示唆している。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 セントラル病棟 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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