自治体・省庁・研究機関・団体の製品一覧
CuI を原料とする選択CVD 法によるShallow-trench 上へのCu 成長
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茨城大院、宮本 裕
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Gate-all-around FET 用TiAlC/TiN 電極の実効仕事関数へのF 混入の影響
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産総研 先端半導体研究センター、間部 謙三
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顕微ラマン分光法によるTSV 周辺Si 歪の横方向分布評価
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明治大理工、藤森 涼太
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UV/Dry Air 処理による半導体基板上フッ素系ポリマー膜の除去
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熊大院自、小石 航平
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高発光強度FLA を用いたMo の低抵抗化
【この成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」(JPNP20017)の助成事業の結果得られたものである】
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株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、吉田侃生
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DHF を用いた窒化膜のウェットエッチングプロセスにおけるデータドリブンな予測モデル
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東大工、柴田 行輝
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サブミクロンFe-Ni-B アモルファス微粒子の磁気特性と磁区構造に関する研究
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東北大工、若林 和志
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プロセスフロー作成ツールの開発
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京大 学際融合教育研究推進センター、林 慶知
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Cold wall 中H2S アニールによるPVD-MoS2膜残留硫黄抑制
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School of Engineering, Institute of Science Tokyo、松永 尚樹
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光電融合デバイス実装
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古河電気工業株式会社、那須 秀行
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