カテゴリー

Ge 上ゲートスタックの低温熱処理効果

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

九州大学大学院総合理工学府、鍬釣 一

スピンMOSFET
Geゲート

基本情報

 Geは高性能TFTやスピンMOSFETに応用が期待されるが、低温デバイス化に課題がある。本研究ではSiO2/GeO2ゲートスタックの熱処理効果を調査し、低温処理でVFBが増加する原因を解析した。PDA温度210°Cでは時間によってVFBが変化し、固定電荷密度と界面ダイポールの影響が示唆された。450°Cでは短時間で安定化し変化が少なかった。HTの制御も可能であり、低温プロセスでのデバイス特性改善が期待される。

お問い合わせ

取扱企業

グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F

必要な情報をタイムリーに届けたい

グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

Ge 上ゲートスタックの低温熱処理効果 へのお問い合わせ

お問い合わせいただくにはログインいただき、プロフィール情報を入力していただく必要があります。


ご依頼目的 必須

ご要望 必須

お問い合わせ ご意見等


※お問い合わせの際、以下の出展者へご連絡先(所属名、部署名、業種、名前、電話番号、郵便番号、住所、メールアドレス)が通知されます。

Ge 上ゲートスタックの低温熱処理効果