東京都の製品一覧

Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価(2)
グローバルネット株式会社

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北大、新藤 源大

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ミニマルHfNx 反応性スパッタ装置の開発
グローバルネット株式会社

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産総研、野田 周一

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minimal Open PDK 構築とOPamp への適応
グローバルネット株式会社

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ミニマルファブ推進機構、浜本 毅司

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GaN-HEMT の過電圧印加時破壊過程のデバイス依存
グローバルネット株式会社

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九大、齋藤 渉

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二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定
グローバルネット株式会社

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アドバンテスト研究所、瓜生 和也

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i 線ステッパーによる100 nm 級AlGaN/GaN デュアルゲートHEMT の作製
グローバルネット株式会社

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名大、安藤 裕二

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100 GHz 帯1 W級GaN パワーアンプMMIC の開発
グローバルネット株式会社

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富士通、熊崎 祐介

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ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社

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名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)

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Si 系ナノ薄膜の微細レーザー加工
グローバルネット株式会社

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東北大、上杉 祐貴

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多端子C–V 法を用いたAlSiO/AlN/p 型GaN-MOSFET の禁制帯中準位の評価
グローバルネット株式会社

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豊田中研、成田 哲生

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