東京都の製品一覧

GaN-HEMT の過電圧印加時破壊過程のデバイス依存
グローバルネット株式会社

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九大、齋藤 渉

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二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定
グローバルネット株式会社

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アドバンテスト研究所、瓜生 和也

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i 線ステッパーによる100 nm 級AlGaN/GaN デュアルゲートHEMT の作製
グローバルネット株式会社

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名大、安藤 裕二

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100 GHz 帯1 W級GaN パワーアンプMMIC の開発
グローバルネット株式会社

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富士通、熊崎 祐介

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ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社

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名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)

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Si 系ナノ薄膜の微細レーザー加工
グローバルネット株式会社

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東北大、上杉 祐貴

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多端子C–V 法を用いたAlSiO/AlN/p 型GaN-MOSFET の禁制帯中準位の評価
グローバルネット株式会社

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豊田中研、成田 哲生

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フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討
グローバルネット株式会社

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名大、小久保 瑛斗

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AlGaN/GaN HEMT 動作下におけるナノ秒応答格子変形の支配因子の解析
グローバルネット株式会社

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阪大、山口将矢 酒井 朗 ら

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印刷とパルスレーザーアニールによるGe 基板上へのGeSn 薄膜成長
グローバルネット株式会社

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名大、佐藤 剛志

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