東京都の製品一覧
Si 系ナノ薄膜の微細レーザー加工
グローバルネット株式会社
東北大、上杉 祐貴
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多端子C–V 法を用いたAlSiO/AlN/p 型GaN-MOSFET の禁制帯中準位の評価
グローバルネット株式会社
豊田中研、成田 哲生
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フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討
グローバルネット株式会社
名大、小久保 瑛斗
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AlGaN/GaN HEMT 動作下におけるナノ秒応答格子変形の支配因子の解析
グローバルネット株式会社
阪大、山口将矢 酒井 朗 ら
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印刷とパルスレーザーアニールによるGe 基板上へのGeSn 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御
グローバルネット株式会社
筑波大、野沢 公暉
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Si 薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration (IV)
グローバルネット株式会社
Sasaki Consulting、佐々木 伸夫
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EID AlGaN/GaN MOS-HEMT のゲート電極直下の電子状態解析
グローバルネット株式会社
三菱電機、南條 拓真
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酸素イオン注入n 型GaN で観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
グローバルネット株式会社
名大、林 慶祐 堀田 昌宏(本件に関わる問合せ先)
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貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
グローバルネット株式会社
名大、伊藤 佑太
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