東京都の製品一覧
光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS 界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
グローバルネット株式会社
北京大学焦宜寧
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スピンドロップレット洗浄技術における最適なリンス方法
グローバルネット株式会社
産総研、根本 一正
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Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価(2)
グローバルネット株式会社
北大、新藤 源大
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ミニマルHfNx 反応性スパッタ装置の開発
グローバルネット株式会社
産総研、野田 周一
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minimal Open PDK 構築とOPamp への適応
グローバルネット株式会社
ミニマルファブ推進機構、浜本 毅司
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GaN-HEMT の過電圧印加時破壊過程のデバイス依存
グローバルネット株式会社
九大、齋藤 渉
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二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定
グローバルネット株式会社
アドバンテスト研究所、瓜生 和也
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i 線ステッパーによる100 nm 級AlGaN/GaN デュアルゲートHEMT の作製
グローバルネット株式会社
名大、安藤 裕二
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100 GHz 帯1 W級GaN パワーアンプMMIC の開発
グローバルネット株式会社
富士通、熊崎 祐介
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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