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SADP 互換EB-R プロセスによるゲートパターン作製

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

AIST SFRC、尹 成圓

GAA
電子ビームリソグラフィー
SADP

基本情報

 本研究では、大規模集積回路(LSI)の微細パターン形成技術として、GAAトランジスタ向けのEBリバーストーン技術を開発。電子ビームリソグラフィー(EBL)と自己整合ダブルパターニング(SADP)を組み合わせ、300mmウェーハ上にSiNハードマスクを作製した。さらに、低圧化学気相成長(LP-CVD)により、SiOx層の微細トレンチへSiNを堆積する技術を実証。SiNのシーム形成やV字型構造の影響を評価し、微細ゲートパターン形成の実用性を確認した。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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