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- エッチングガス
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- 接着剤 接着テープ
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- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
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- マスク基板
- マスクブランクス
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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- 蒸着材料
シリコン薄膜スーパージャンクション構造を用いた横型パワーMOSFET
東大生研、李 珍秀
スーパージャンクション
パワーMOS-FET
SOIウェーハ
基本情報
本研究では、パワー半導体デバイスの性能向上に向け、薄膜スーパージャンクション（SJ）構造を採用した横型パワーMOSFETを提案。従来のSOI基板上のデバイス構造に対し、バルク基板上での薄膜SJ構造の適用を検討。シミュレーションにより、SJ層の濃度比0.9で最適な耐圧を達成し、高濃度化で劣化することを確認。さらに、薄膜SJ層を複数設けることでシリコンリミットを超える可能性を示し、10層構造では縦型デバイスにも匹敵する性能を発揮できることを示した。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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