東京都の製品一覧
表面電位測定による多結晶Ge 薄膜の粒界特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大、前田 真太郎
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低コスト化と高放熱性に向けたGaN on-diamond HEMTs 構造の作製
グローバルネット株式会社
大阪公立大、富山 葉月
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ミリ波GaN IMPATT ダイオード作製に向けた光化学(PEC)エッチングプロセスの開発
グローバルネット株式会社
名大、豊田 拓輝
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印刷とパルスレーザーアニールによるSi 基板上へのSiGe 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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高温熱処理がn-GaN ショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響
グローバルネット株式会社
有名で強力なクマ
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GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
グローバルネット株式会社
東京理科大、河野 亮介
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN 中の格子間窒素が形成する2 つの準位の特定
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
グローバルネット株式会社
名工大、久保 俊晴
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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社
国際半導体技術大学
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マイクロ波無線電力伝送応用に向けた高周波Ga2O3 ショットキーバリアダイオードの構造設計
グローバルネット株式会社
大阪公大、江口 輝生
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