東京都の製品一覧
小電力応用に優れた針接触Ge ショットキーバリアダイオードのデバイス特性
グローバルネット株式会社
東京工科大、安藤 陸
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Ni 超薄膜へのSiH4 照射によるシリサイド化反応制御
グローバルネット株式会社
名大、谷田 駿
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高濃度n 型GaN スパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性
グローバルネット株式会社
名大、田中 希帆
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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
グローバルネット株式会社
山口大、藤井 開
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極性反転層を用いた高品質Ｎ極性面AlN 上GaN/AlN HEMT の性能改善
グローバルネット株式会社
山口大、Aina Hiyama Zazuli
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AlN 系分極ドープFET の構造検討
グローバルネット株式会社
NTT、廣木 正伸
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Si/Ge/SiO2 の低温成長とその構造及び電気特性評価
グローバルネット株式会社
山梨大、近藤 弘人
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水蒸気低温プラズマジェット照射によるポリシラザンのシリカ転化メカニズム
グローバルネット株式会社
広島商船高専、酒池 耕平
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表面電位測定による多結晶Ge 薄膜の粒界特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大、前田 真太郎
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低コスト化と高放熱性に向けたGaN on-diamond HEMTs 構造の作製
グローバルネット株式会社
大阪公立大、富山 葉月
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