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トレンチフィールドプレートパワーMOSFET における積層ゲート膜化によるTDDB ばらつき改善

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

東芝デバイス&ストレージ株式会社、石井 大智

SiパワーMOSFET
TDDB

基本情報

 本研究では、SiパワーMOSFETの低耐圧領域で主流のトレンチフィールドプレート(FP)構造におけるゲート酸化膜のラフネス低減とTDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)寿命改善を検討した。ゲート酸化条件を変更し、AFMで表面ラフネスを評価。高温熱酸化やCVD酸化膜の積層によって酸化量を低減し、ラフネス改善を確認した。結果として、最適条件でTDDB寿命が大幅に向上。電界集中がゲート酸化膜に移行し、絶縁耐量の改善が見られた。本研究はMOSFETの信頼性向上に寄与する。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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