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- エッチングガス
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- 接着剤 接着テープ
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- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
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- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
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- 液晶材料
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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3 次元フラッシュメモリ製造プロセスにおけるRapid Thermal Anneal を活用したウェハ反り制御技術の現象モデル化
キオクシア株式会社、田中 拓人
フラッシュメモリー
基本情報
データ保存の需要拡大に伴い、3次元フラッシュメモリの大容量化が求められている。しかし、ワード線積層数の増加によるウェハ反りが製造工程に影響を与えることが課題である。本研究では、Rapid Thermal Anneal（RTA）が「ウェハ反りの一時的凸化」を引き起こすメカニズムを解明するため、X線反射率（XRR）を用いてON積層膜のSiO2-SiN界面構造を分析した。その結果、RTA後に界面構造遷移層が減少し、Furnace Annealを追加することで元の状態に戻ることが確認された。これにより、ウェハ反りの制御には界面構造の変化が関与している可能性が示された。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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