半導体の製品一覧
AlGaN/GaN HEMT 動作下におけるナノ秒応答格子変形の支配因子の解析
グローバルネット株式会社
阪大、山口将矢 酒井 朗 ら
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多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御
グローバルネット株式会社
筑波大、野沢 公暉
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小電力応用に優れた針接触Ge ショットキーバリアダイオードのデバイス特性
グローバルネット株式会社
東京工科大、安藤 陸
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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
グローバルネット株式会社
山口大、藤井 開
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極性反転層を用いた高品質N極性面AlN 上GaN/AlN HEMT の性能改善
グローバルネット株式会社
山口大、Aina Hiyama Zazuli
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AlN 系分極ドープFET の構造検討
グローバルネット株式会社
NTT、廣木 正伸
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Si/Ge/SiO2 の低温成長とその構造及び電気特性評価
グローバルネット株式会社
山梨大、近藤 弘人
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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社
International College of Semiconductor Technology
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ダイヤモンドMOSFET の高電圧(105V) スイッチング動作
グローバルネット株式会社
佐賀大、白土 智基
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ワイドギャップ半導体SBD の高周波整流特性
グローバルネット株式会社
大阪公大、大野 泰夫
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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990…
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