半導体の製品一覧

AlGaN/GaN HEMT 動作下におけるナノ秒応答格子変形の支配因子の解析
グローバルネット株式会社

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阪大、山口将矢 酒井 朗 ら

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多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御
グローバルネット株式会社

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筑波大、野沢 公暉

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小電力応用に優れた針接触Ge ショットキーバリアダイオードのデバイス特性
グローバルネット株式会社

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東京工科大、安藤 陸

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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
グローバルネット株式会社

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山口大、藤井 開

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極性反転層を用いた高品質N極性面AlN 上GaN/AlN HEMT の性能改善
グローバルネット株式会社

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山口大、Aina Hiyama Zazuli

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AlN 系分極ドープFET の構造検討
グローバルネット株式会社

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NTT、廣木 正伸

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Si/Ge/SiO2 の低温成長とその構造及び電気特性評価
グローバルネット株式会社

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山梨大、近藤 弘人

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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社

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International College of Semiconductor Technology

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ダイヤモンドMOSFET の高電圧(105V) スイッチング動作
グローバルネット株式会社

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佐賀大、白土 智基

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ワイドギャップ半導体SBD の高周波整流特性
グローバルネット株式会社

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大阪公大、大野 泰夫

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