半導体用語集
バリアハイト
英語表記：barrier height
金属と半導体の界面では、ショットキ接合が形成される。バリアハイトは n型半導体では金属のワークファンクションΦmを半導体の電子親和力ｘの差、ΦB=Φm-ｘで表わされる。p型半導体ではホールがキャリアであるので、バリアハイトはエネルギーギャップEgからワークファンクションと電子親和力の差を引いた、ΦB=Eg/q-(Φm-ｘ)で表わされる。Φm＜ΦS (半導体のフェルミレベル)の時にはショットキバリアは形成されず、オーミック特性を示す。バリアハイトが高いと、キャリアは障壁を乗り越えられないため、オーミックコンタクトを形成できない。各種メタルのSi基板に対するバリアハイ トを表1に示す。
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