半導体用語集
シリサイド化
英語表記：silicidation
基板の高不純物濃度化以外に、低いコンタクト抵抗をえる方法として、バリアハイトを下げる方法がある。高融点金属シリサイドはショットキバリアが0.6eV弱であり、n型Siに対してもp型Siに対しても、コンタクト抵抗を低くする可能性がある。一般には Tiシリサイドが用いられている。まず、コンタクトホール開口後にTi、引き続きバリアメタルまたは密着層としてTiNを成膜しアニールによりTiを基板のSiと反応させシリサイドを形成している。Tiは還元作用があるため、シリサイド反応を阻害するコンタクトホール底の自然酸化膜を還元し、シリサイド形成が行いやすく、他の高融点金属にくらべ比較的容易に安定な低いコンタクト抵抗を実現できる。最近の微細デバイスでは、ソース・ドレインやゲート電極の抵抗を下げるために、それらの表面に選択的にシリサイドを形成する技術が使用されている。この場合は、コンタクトホール開口時に、シリサイド表面でエッチングを選択的に止めることができれば、配線形成の際改めてシリサイドを形成する必要がなく、低いコンタクト抵抗を実現できる。
関連製品
ENDURAR AVENIR RF PVD
Applied Materials,Inc
Endura AvenirシステムのRF PVD技術は、High-k／メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です
半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › 成膜装置 › スパッタリング装置
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