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Ni 超薄膜へのSiH4 照射によるシリサイド化反応制御

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名大、谷田 駿

シリサイド

基本情報

 本研究はSiO2上に形成された極薄のニッケルシリサイド薄膜が分子センサーとしての応用が期待されていることに注目している。以前の研究でSiO2熱酸化膜上に室温で形成されたニッケル/アモルファスシリコン超薄膜を600℃で熱処理することにより、約5.0nmの厚さで平坦なNi2Si薄膜を形成できることが示された。最新の研究では、約5.0nmの厚さの極薄ニッケル膜にSiH4を照射することで、フラックス量の増加に伴い、ニッケル超薄膜をシリサイド化する新しい方法を試みている。SiH4の照射(130Pa、1分間)により、ニッケル超薄膜がシリサイド化されることが確認された。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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