カテゴリー
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- モータ/サーボモータ
- RF電源/その他電源
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- 真空バルブ
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- 熱電対/パイロメータ
- センサ(温度、湿度、圧力、流量など)
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- ノズル(スプレーノズル、スリットノズルなどを含む)
- インクジェットヘッド(ノズル)
- 薬液用ポンプ
- スペーサ供給ユニット
- コロナガン
- テフロン(半導体グレード)
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- チラー
- レーザ光源
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- マスクブランクス
- フォトマスク
- g・i線レジスト/現像液
- KrFレジスト/現像液
- ArFレジスト/現像液
- ArF液浸レジスト/現像液
- EUVレジスト/現像液
- ターゲット材
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- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
- 超純水・機能水
- サブストレート(パッケージ基板)/インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング/ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板(液晶)
- ガラス基板(OLED用)
- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材(カラーレジスト/顔料)、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料(SiO2):CVDガス材料、ポリイミド(樹脂)
- 液晶材料
- スペーサ材料(シリコン球)
- シール(封止)材(接着剤)/メインシール材/仮接着剤
- 液晶注入口封止材(紫外線硬化樹脂材料)
- 偏光フィルム
- 基板(仮配置基板)
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材(有機膜)
- 正孔輸送層材(有機膜)
- 電子注入層材料(有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料(有機膜、金属化合物薄膜
- 高分子有機EL材料
- 有機EL材料(蒸着用)
- 蒸着材料
ENDURAR AVENIR RF PVD
Endura AvenirシステムのRF PVD技術は、High-k/メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です
低電力での高周波(RF)技術を用いたプラズマ技術は、ダメージへの懸念を最小限にし、より均一なプラズマ密度分布を達成します。その結果、より優れたボトムカバレージと均一性を実現します。AvenirシステムのRF PVD技術はまた、極薄キャップ層およびメタルゲート層成膜時のダメージによるリスクを最低限に抑え、チャージトラップなしの急峻な界面構造を提供します。
基本情報
High-k/メタルトランジスタでは、Avenirシステムはゲートファーストおよびゲートラスト双方の手法に対するソリューションを提供可能なため、チップメーカーはこれら2つのアプローチを容易に移行できます。
ゲートファースト用途では、RF PVD技術により、優れた均一性にて連続した薄膜 (10A未満) の成膜が可能です。ゲートラスト用途では、良好なボトムカバレージと最低限のオーバーハングを実現するため、高圧雰囲気での容量結合プラズマ技術を採用しています。 同システムの最適化能力により、膜の均一性を損なうことなく、TiN膜の緻密な化学量制御が可能なため、総合的なVt制御を実現します。有効仕事関数(eWF)に関しては、NMOSに対し4.2eV以下、PMOSに対しては5.0eV以上という優れた性能を達成します。NMOSと> 5.0eVの場合高性能のためのPMOS用。
RF PVDシリサイデーションチャンバは、既存のPVD Ni(Pt)プロセスと比較し2倍のボトムカバレージ性能を可能にし、アスペクト比5:1の形状でウェーハ全面に70%以上のボトムカバレッジ率で均一に成膜することが可能です。均一なボトムカバレージ(3%、1σ) は、安定した電気的抵抗とより低いリーク電力を達成するだけでなく、高いプラチナ組成比均一性により、高い歩留まりを実現します。また、これらの優れた性能を従来のPVD Ni(Pt)技術に比べ30%も低い消耗品コスト(CoC)にて達成します。
Enduraプラットフォームは、High-k/メタル ゲートおよびロジックコンタクトのシリサイド化アプリケーションに対して、斬新な統合能力を提供します。ゲートアプリケーションには、多種多様なPVDチャンバに加え、化学気相成長(CVD)および原子層成長(ALD)チャンバも提供可能です。コンタクトアプリケーションに対しては、Siconiプリクリーン、シリサイド化、窒化チタン(TiN)キャッピングプロセスを統合して提供します。
取扱企業
Applied Materials,Inc
業種:産業用機械 3050 Bowers Avenue,P.O. Box 58039,Santa Clara, CA 95054-3299,United States
半導体製造装置のトップ企業
成膜、エッチング、イオン注入装置、洗浄装置、各種検査装置まで幅広いラインナップを提供しています。保守、サポート体制も充実させています。
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