半導体用語集
コンタクト抵抗の低抵抗化
英語表記：reduction Of contact res1Stance
コンタクト形成では、通常ショットキバリアが形成されるため、Siと金属との間でオーミックコンタクトを形成しなければならず、また、半導体デバイスの微細化によりコンタクトホール自身の形状が細く深くなっているため、その抵抗を低く、安定に制御することは困難になってきている。コンタクト抵抗を低減するためには、Si/金属界面におけるバリアハイトを下げること、Si基板の濃度を上げ、キャリアがバリアをトンネルしやすくすること、コンタクトホール開口時のReactive Ion Etching (RIE)によるコンタクト部のダメージの影響を低減し、それらのダメージ層を除去すること、また、コンタクト開口時に形成された反応生成物を完全に除去することなどがある。バリアハイトの低減のために、一般に配線材料とSi基板の間にシリサイドを形成する方法が使用されている。
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