半導体用語集
高不純物濃度化
英語表記：high impurity concentration
ショットキバリアを生じる半導体・金属界面のコンタクト抵抗をオーミックにし、かつ低抵抗に保つためには、キャリアがショットキバリアを容易にトンネルするようにすることが一つの方法である。そのために半導体の不純物濃度を高くし、半導体のフェルミレベルをn型半導体では伝導電子帯近辺まで、p型半導体では価電子帯まで引きつけ、金属と半導体界面のバンドを大きく曲げて急峻にする。これによりバリアハイトの幅が狭まり、トンネルしやすくなるため、コンタクト抵抗が低減できる。
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