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- 接着剤 接着テープ
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実験室系HAXPES を用いた電圧印加オペランド測定の MOS 構造における不純物濃度依存性の解析
明治大理工、箕輪 卓哉
MOS
HAXPES(硬X線光電子分光法)
基本情報
半導体デバイスの界面評価において、硬X線光電子分光法（HAXPES）は非破壊で結合状態を分析できる。本研究では、MOS構造のバンド変化を調べるため、不純物濃度の異なる基板を用いて電圧印加下でのHAXPES測定を行った。その結果、抵抗率が高いほどピークシフトが小さくなり、反転層や蓄積層の形成と関係することが示唆された。この手法は、MOS構造の電位変化を詳細に可視化する可能性を示し、デバイス性能評価の新たなアプローチとなることが期待される。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
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