カテゴリー

Cold wall 中H2S アニールによるPVD-MoS2膜残留硫黄抑制

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

School of Engineering, Institute of Science Tokyo、松永 尚樹

遷移金属ダイカルコゲナイド

基本情報

 次世代半導体材料として期待されるMoS2はスパッタリング法で成膜されるが、化学組成の不均一が課題である。本研究では、高蒸気圧の硫化水素(H2S)ガスを用いたCold wallアニールを実施し、硫黄粉末を用いたSVA処理と比較しました。XPS測定の結果、Cold wall H2Sアニールでは残留硫黄が抑制され、S-S結合由来のピークが消失、効果的に硫黄が補填されることが示されました。この手法はMoS2膜の結晶性と電気特性向上に有効であると結論づけられました。

お問い合わせ

取扱企業

グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

必要な情報をタイムリーに届けたい

グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

Cold wall 中H2S アニールによるPVD-MoS2膜残留硫黄抑制 へのお問い合わせ

お問い合わせいただくにはログインいただき、プロフィール情報を入力していただく必要があります。


ご依頼目的 必須

ご要望 必須

お問い合わせ ご意見等


※お問い合わせの際、以下の出展者へご連絡先(所属名、部署名、業種、名前、電話番号、郵便番号、住所、メールアドレス)が通知されます。

Cold wall 中H2S アニールによるPVD-MoS2膜残留硫黄抑制