東京都の製品一覧

GaN npn 構造の電流-電圧特性の解析
グローバルネット株式会社

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名大未来研、岡 徹

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CuI を原料とする選択CVD 法によるShallow-trench 上へのCu 成長
グローバルネット株式会社

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茨城大院、宮本 裕

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無電解めっきによるCoMn 拡散バリア膜形成の検討
グローバルネット株式会社

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関西大システム理工、新宮原 正三

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SADP 互換EB-R プロセスによるゲートパターン作製
グローバルネット株式会社

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AIST SFRC、尹 成圓

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MOSFET雑?の広帯域計測とその温度依存性に関する考察
グローバルネット株式会社

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(株)デバイスラボ、??利 健治

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UV/Dry Air 処理による半導体基板上フッ素系ポリマー膜の除去
グローバルネット株式会社

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熊大院自、小石 航平

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量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMT の特性予測
グローバルネット株式会社

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東理大先進工、児玉 直也

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ハイブリッド・ボンディングを適用した3 次元フラッシュメモリにおける貼り合わせ界面空隙の内圧低減技術開発
グローバルネット株式会社

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キオクシア株式会社、大形 彩斗

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ヨウ化銅(I)を原料とするCVD 法によるビアホールの選択埋め込み
グローバルネット株式会社

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茨城大工、難波 拓?

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Gate-all-around FET 用TiAlC/TiN 電極の実効仕事関数へのF 混入の影響
グローバルネット株式会社

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産総研 先端半導体研究センター、間部 謙三

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