グローバルの製品一覧

先端パッケージにおけるパネルレベル基板プロセスの動向
株式会社グローバルネット

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ご講演者:西田 秀行 氏(NEP Tech S&S)、乃万 裕一氏(株式会社レゾナック)、森川 泰宏 氏(株式会社アルバック)、佐藤 仁 氏(株式会社オー…

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先端パッケージにおけるパネルレベル基板プロセスの動向
株式会社グローバルネット

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ご講演者:西田 秀行 氏(NEP Tech S&S)、乃万 裕一氏(株式会社レゾナック)、森川 泰宏 氏(株式会社アルバック)、佐藤 仁 氏(株式会社オー…

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ハイブリッド接合への応用に向けたSiCN 膜の接合メカニズム解明
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横浜国大、山本 泰輔

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プラズマ活性化による表面改質とウエハ接合時の挙動解析
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横浜国大、尾形 崚太

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Gate-all-around FET 用TiAlC/TiN 電極の実効仕事関数へのF 混入の影響
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産総研 先端半導体研究センター、間部 謙三

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無電解めっきによるCoMn 拡散バリア膜形成の検討
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関西大システム理工、新宮原 正三

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顕微ラマン分光法によるTSV 周辺Si 歪の横方向分布評価
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明治大理工、藤森 涼太

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MOSFET雑?の広帯域計測とその温度依存性に関する考察
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(株)デバイスラボ、??利 健治

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SADP 互換EB-R プロセスによるゲートパターン作製
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AIST SFRC、尹 成圓

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超伝導量子ビット制御用クライオCMOS における高電圧nMOSFET の低温特性
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慶大理工、押尾 世文

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