半導体用語集
ダマシン
英語表記：damascene
古代シリアのダマスカスで生まれた象嵌技術で、金属を溝に埋め込むことから埋め込み配線技術をこのように呼んでいる。シリコン酸化膜（SiO₂）に配線となる溝を掘り、溝の中を含む基板全面に配線となる金属としてタングステン（W）あるいはアルミニウム（Al）あるいは銅（Cu）を堆積し、CMPで溝以外の基板表面部分の金属を研磨し、溝の中にのみ金属を残して配線・電極とする。この時、埋め込み性の良い金属堆積法としてリフロースパッタ法、高温スパッタ法、CVD法、めっき法などが採用されている。これにより基板全面という大面積で配線金属を溝に埋め込み平坦化する技術が確立し、ドライエッチングでは加工できなかった銅（Cu）配線が実用化され、配線が多層化されてもグローバル平坦化が達成された。
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